MOSFETのSPICEモデル/シミュレーションをカスタムで制作します
マルツエレックの回路シミュレーションサービスでは、パワーMOSFET、SiC MOSFET、GaN MOSFETのSPICEモデル、ならびにアプリケーション回路のシミュレーションを、カスタムで制作致します。シミュレーション制作をご希望のデバイス、アプリケーション回路について、まずはお気軽にご相談下さい。
パワーMOSFET
お客様のシミュレーション用途に必要なパワーMOSFETのデバイスモデリングを行います。
パワーMOSFETのスパイスモデルは実績が多いMOSFETLEVEL=3モデルでのご提供になります。スパイスモデルの種類はプロフェッショナルモデルとスタンダードモデルの2種類があります。プロフェッショナルモデルはMOSFET
LEVEL=3の弱点であるミラー効果に再現性がないため、等価回路を付加し、再現性を持たせました。ミラー効果がないスパイスモデルを採用しますとゲートチャージ特性に再現性がありませんので、注意が必要です。スタンダードモデルはMOSFET LEVEL=3モデルであり、パラメータモデルです。また、シリコン半導体だけではなく、SiCトMOSFETのデバイスモデリングもご提供しております。パワーMOSFETの場合、本体とボディ・ダイオード、ESD素子で構成される場合がございます。その場合も確度良くスパイスモデルを追加し、実際の構成と合わせていきますパワーMOSFETの場合、本体とボディ・ダイオード、ESD素子で構成される場合がございます。その場合も確度良くスパイスモデルを追加し、実際の構成と合わせていきますリングを行います。先ずは、お問い合わせ下さい。
パワーMOSFETのスパイスモデル(スタンダードモデル)の評価検証シミュレーション
SiC MOSFET
お客様のシミュレーション用途に必要なSiC MOSFETのデバイスモデリングを行います。SiC MOSFETの場合、
本体とボディ・ダイオードで構成される場合がございます。その場合も確度良くスパイスモデルを追加し、実際の
構成と合わせていきます。デバイスモデリングに必要な電気的特性図がある場合はそのデータを採用致します。
また、お客様に測定環境が無い場合、サンプルをご提供して頂ければ測定し、モデリングを行います。
GaN MOSFET
GaN MOSFETのスパイスモデルは専用の等価回路モデルご提供しております。GaN
MOSFETの場合、本体とボディ・ダイオードで構成される場合がございます。その場合も確度良くスパイスモデルを追加し、
実際の構成と合わせていきます。デバイスモデリングに必要な電気的特性図がある場合はそのデータを採用致します。また、
お客様に測定環境が無い場合、サンプルをご提供して頂ければ測定し、モデリングを行います。
SPICE MODEL 回路シミュレーションで試験工数を削減、開発の効率化に貢献します
マルツエレックの回路シミュレーションサービスでは、お客様が必要とするデバイスのSPICEモデルの制作、ならびにアプリケーション回路全体のシミュレーションの制作を受託いたします。マルツエレックが提供する「Bee Technologies」ブランドの回路シミュレーション技術は、その再現性の高さと設計業務の効率化への貢献で、自動車メーカー様、電機メーカー様、国内外の研究機関からも高い評価を得ています。
●ECO設計のための損失計算
●大電流、高電圧のパワーエレクトロニクス回路の検証
●代替品選定
●誤動作や異常波形
回路をシミュレーションすることで実物の試作や製造前に回路の動作を把握でき、回路試作の削減につながります。
マルツエレックの回路シミュレーションサービスとは
再現性のあるシミュレーションのためには、適切なSPICEモデルの準備が欠かせません。
しかし、再現性の高いSPICEモデルを自分で制作するには、多くの時間を要します。
手間のかかるSPICEモデルの制作は、弊社にお任せ下さい。
大規模な回路全体をシミュレーションする場合、計算が途中で止まってしまう収束エラーや、
解析時間が長くかかりすぎてしまう、といった問題が生じます。
また寄生素子を考慮しないモデルでは再現性が十分に得られないといった問題も生じます。
弊社の回路シミュレーションサービス部門には、こうした問題を解決する高度な技術がございます。